[发明专利]半导体存储器件及其操作方法无效
| 申请号： | 200710147922.5 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101154434A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金敬勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括第一时钟输入单元，其用于基于在系统时钟信号与反相系统时钟信号的相交处的信号来产生第一时钟信号；第二输入单元，其用于基于在系统时钟信号与基准信号的相交处的信号来产生第二时钟信号；第三输入单元，其用于基于在反相系统时钟信号与基准信号的相交处的信号来产生第三时钟信号；延迟单元，其用于通过响应于延迟控制信号而使第一时钟信号延迟来产生延迟时钟信号；及时钟延迟控制单元，其用于响应于第二时钟信号与延迟时钟信号之间的相位差或第三时钟信号与延迟时钟信号之间的相位差来产生延迟控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其包括：第一时钟输入单元，其用于基于在系统时钟信号与反相系统时钟信号的相交处的信号来产生第一时钟信号；第二输入单元，其用于基于在所述系统时钟信号与基准信号的相交处的信号来产生第二时钟信号；第三输入单元，其用于基于在所述反相系统时钟信号与所述基准信号的相交处的信号来产生第三时钟信号；延迟单元，其用于通过响应于延迟控制信号而延迟所述第一时钟信号来产生延迟时钟信号；以及时钟延迟控制单元，其用于响应于所述第二时钟信号与所述延迟时钟信号之间的相位差或所述第三时钟信号与所述延迟时钟信号之间的相位差来产生所述延迟控制信号。
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