[发明专利]旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置有效
申请号: | 200710148055.7 | 申请日: | 2007-09-03 |
公开(公告)号: | CN101312232A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 王郁仁;邓端理;郑旭辰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16;G11C16/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种磁性存储器组件。存储器组件包括一磁穿隧接面(MTJ)组件与一电极。电极包括一固定层、一被固定层与一非磁性传导层。在一实施例中,磁穿隧接面组件包含具有一第一表面区域的一第一表面,且电极包含一第二表面。在此实施例中,电极的第二表面耦合至磁穿隧接面组件的第一表面,以使形成一接口区域,且接口区域比第一表面区域小。 | ||
搜索关键词: | 旋转 扭矩 转移 磁阻 随机存取存储器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种磁性存储器组件,包含:一磁穿隧接面(MTJ)组件,包括至少一自由层;以及一电极,包含一固定层、一被固定层、与一非磁性传导层;其中,所述电极的所述非磁性传导层插入在所述电极的所述被固定层与所述磁穿隧接面组件的所述自由层之间。
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