[发明专利]半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置有效
| 申请号： | 200710148148.X | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101136429A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 竹口彻;由良信介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/786;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 薄膜晶体管 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜，是一种通过在非晶半导体薄膜上照射激光而多晶化的半导体薄膜，其晶粒排列成格子状，上述晶粒的大小约为上述激光的振荡波长的一半。
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