[发明专利]印刷非易失性存储器无效
| 申请号： | 200710148202.0 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101150147A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 卡玛斯·亚文;史密斯·派屈克;克里夫·詹姆士·蒙太谷 | 申请（专利权）人： | 寇比欧股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吕俊刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种印刷非易失性存储器。公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元具有：处于相同水平高度并且间隔开预定距离的第一和第二印刷半导体岛，所述第一半导体岛提供控制栅，并且所述第二印刷半导体岛提供源端子和漏端子；位于所述第一半导体岛的至少一部分上的栅电介质层；位于所述第二半导体岛的至少一部分上的隧穿电介质层；位于所述栅电介质层和所述隧穿电介质层的至少一部分上的浮栅；以及与所述控制栅和所述源端子和漏端子电接触的金属层。在一个优选实施方式中，可利用“全印刷”工艺技术来制造所述非易失性存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 印刷 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元包括：a)处于相同水平高度并且间隔开预定距离的第一和第二印刷半导体岛，所述第一印刷半导体岛包括所述非易失性存储器单元的控制栅，并且所述第二印刷半导体岛包括所述非易失性存储器单元的源端子和漏端子；b)位于所述第一半导体岛的至少一部分上的栅电介质层；c)位于所述第二半导体岛的至少一部分上的隧穿电介质层；d)位于所述栅电介质层和所述隧穿电介质层的至少一部分上的浮栅；e)与所述控制栅以及所述源端子和漏端子电接触的金属层。
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