[发明专利]闪存器件及其抹除方法无效
申请号: | 200710148537.2 | 申请日: | 2007-08-29 |
公开(公告)号: | CN101276646A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 李熙烈 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 可在闪存器件中缩短抹除操作时间并且改善抹除操作特性。该闪存器件包括多个存储单元区块、操作电压产生器及控制器。多个存储单元区块的各个包括连接于多个字线的存储单元。电压产生器构成为对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加抹除电压,并且当尝试抹除操作不成功时就改变该抹除电压的电平。控制器构成为用以控制该电压产生器,以对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加第一抹除电压。该第一抹除电压对应于用来成功完成先前抹除操作的先前抹除电压。该第一抹除电压是在该抹除操作的第一抹除尝试中使用的抹除电压。 | ||
搜索关键词: | 闪存 器件 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种闪存器件,其包括:多个存储单元区块,每个存储单元区块包括连接于多个字线的多个存储单元;电压产生器,被配置成对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加抹除电压,并且如果抹除操作的尝试不成功则改变抹除电压的电平;以及控制器,被配置成控制该电压产生器以对被选择来进行抹除操作的存储单元区块施加第一抹除电压,该第一抹除电压对应于在成功完成先前抹除操作中使用的先前抹除电压,第一抹除电压是在该抹除操作的第一抹除尝试中使用的抹除电压。
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