[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710148551.2 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378100A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈朝旻;陈世鹏;薛清全;陈煌坤 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯;魏晓刚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管装置及其制造方法。该发光二极管装置包括外延叠层及蚀刻阻挡层。外延叠层依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层。蚀刻阻挡层设置于外延叠层上，且蚀刻阻挡层具有多个镂空部。依据本发明的发光二极管装置及其制造方法，通过具有这些镂空部的蚀刻阻挡层来避免因为外延叠层本身的折射率与空气差别过大而造成的全反射损失，并由此增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管装置，包括:外延叠层，依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及蚀刻阻挡层，与该外延叠层连接，该蚀刻阻挡层具有多个镂空部。
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