[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710148559.9 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101136389A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，其包括：下层，其在顶表面上具有不平坦区域；介质阻挡层，其设置在下层上，并具有平坦的顶表面；以及层间介质层，其设置在该介质阻挡层上，并具有平坦的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：下层，其在顶表面上具有不平坦区域；介质阻挡层，其位于所述下层上，并具有平坦顶表面；以及层间介质层，其位于所述介质阻挡层上，并具有平坦顶表面。
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