[发明专利]基板的等离子处理装置和等离子处理方法有效
| 申请号： | 200710148832.8 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101137269A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 宇井明生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适合于对基板加工的离子能量，进一步能够减小该离子能量宽度来对加工形状进行精细控制的基板的等离子处理装置及等离子处理方法，所要实现的基板的等离子处理装置包括下列构成：内部可保持真空的真空室；配置于该真空室内，并构成为其中主面上保持待处理基板的RF电极；所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；对所述RF电极加上规定频率的RF电压用的RF电压外加手段；以及对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加用的脉冲电压外加手段。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.基板的等离子处理装置，其特征在于，具备：内部可保持真空的真空室：配置于所述真空室内，并构成为在主面上保持待处理基板的RF电极；所述真空室内与所述RF电极相向配置的对置电极；对所述RF电极加上规定频率的RF电压用的RF电压外加手段；以及对所述RF电极加上规定的脉冲电压来使其与所述RF电压叠加用的脉冲电压外加手段。
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