[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710149024.3 | 申请日： | 2005-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101119012A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;山田英司;荒木正浩 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/323;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：第一步骤，在其至少一部分表面内具有氮化物半导体层的衬底上形成作为至少一个凹陷部分形成的刻槽区域和作为非刻槽区域形成的隆脊部分，由此形成已处理衬底；和第二步骤，在形成于所述已处理衬底上的所述刻槽区域和隆脊部分的表面上形成至少由一种氮化物半导体薄膜构成的氮化物半导体层部分，其中，在所述第二步骤中，使在接近所述刻槽区域的隆脊部分的两个边缘上布置的氮化物半导体层部分的厚度大于在所述隆脊部分的两个边缘以外布置的氮化物半导体层部分的厚度，前者是从所述隆脊部分的表面至所述氮化物半导体层部分的表面测得的，后者也是从所述隆脊部分的表面到所述氮化物半导体层部分的表面测得的，从而形成从布置在除所述隆脊部分的两个边缘部分以外的区域表面的氮化物半导体层部分的平坦部分升高的流入阻挡部分。
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