[发明专利]阵列基底和具有该阵列基底的显示装置无效

专利信息
申请号: 200710149204.1 申请日: 2007-09-06
公开(公告)号: CN101149550A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 李奉俊;许命九;金圣万;李洪雨 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12;H01L23/522
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;邱玲
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种阵列基底和一种显示装置,在该阵列基底和该显示装置中,栅极线在当前1H时间段内接收栅极脉冲,数据线接收极性每帧被反转的像素电压。当薄膜晶体管在当前1H时间段内响应于栅极脉冲而导通时,像素电极在当前1H时间段内通过薄膜晶体管接收像素电压。在前1H时间段内,响应于前栅极脉冲,预充电部分将像素电极预充电至作为像素电压的基准电压的共电压。
搜索关键词: 阵列 基底 具有 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基底,包括:底基底;多个像素,布置在底基底上;每个像素包括:栅极线,用于在当前一个水平扫描时间段内接收栅极脉冲;数据线,用于接收像素电压,数据线与栅极线绝缘并与栅极线交叉;薄膜晶体管,连接到栅极线和数据线,以在当前一个水平扫描时间段内响应于栅极脉冲来输出极性每帧被反转的像素电压;像素电极,连接到薄膜晶体管,以在当前一个水平扫描时间段内接收像素电压;预充电部分,用于在前一个水平扫描时间段内响应于前栅极脉冲将像素电极预充电至共电压,其中,共电压是像素电压的基准电压。
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