[发明专利]阵列基底及具有该阵列基底的显示装置有效

专利信息
申请号: 200710149209.4 申请日: 2007-09-07
公开(公告)号: CN101140943A 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 金东奎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;邱玲
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种阵列基底及具有该阵列基底的显示装置,该阵列基底包括第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第一像素电极、第二像素电极和存储线。第一TFT电连接到栅极线和数据线。第二TFT电连接到栅极线和数据线。第一像素电极电连接到第一TFT。第二像素电极电连接到第二TFT。以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置。所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域。因此,不同的电压被施加到第一像素电极和第二像素电极,从而可以增大视角。
搜索关键词: 阵列 基底 具有 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基底,包括:第一薄膜晶体管,电连接到栅极线和数据线;第二薄膜晶体管,电连接到栅极线和数据线;第一像素电极,电连接到第一薄膜晶体管;第二像素电极,电连接到第二薄膜晶体管;存储线,以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置,其中,所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域,其中,第一区域的大小不同于第二区域的大小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710149209.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top