[发明专利]阵列基底及具有该阵列基底的显示装置有效
申请号: | 200710149209.4 | 申请日: | 2007-09-07 |
公开(公告)号: | CN101140943A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;邱玲 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基底及具有该阵列基底的显示装置,该阵列基底包括第一薄膜晶体管(TFT)、第二TFT、第一像素电极、第二像素电极和存储线。第一TFT电连接到栅极线和数据线。第二TFT电连接到栅极线和数据线。第一像素电极电连接到第一TFT。第二像素电极电连接到第二TFT。以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置。所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域。因此,不同的电压被施加到第一像素电极和第二像素电极,从而可以增大视角。 | ||
搜索关键词: | 阵列 基底 具有 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基底,包括:第一薄膜晶体管,电连接到栅极线和数据线;第二薄膜晶体管,电连接到栅极线和数据线;第一像素电极,电连接到第一薄膜晶体管;第二像素电极,电连接到第二薄膜晶体管;存储线,以与第一像素电极和第二像素电极叠置的关系设置存储线的位置,其中,所述叠置限定存储线的与第一像素电极相关的第一区域和存储线的与第二像素电极相关的第二区域,其中,第一区域的大小不同于第二区域的大小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的