[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710149954.9 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159288A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;拉维库马·拉马钱德兰;埃芬迪·利奥班登格;马亨德·库马;朱文娟;克里斯廷·诺里斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波;许向华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括具有倒置V形沟道区域的半导体层，该倒置V形沟道区域允许在半导体结构内避免凸起的源极/漏极区域。在一实施例中，基本常规的栅电极位于倒置V形沟道区域之上半导体层的平坦表面之上。在另一实施例中，前述基本常规的栅电极结合倒置V形栅电极使用，该倒置V形栅电极位于包括倒置V形沟道区域的倒置V形槽口内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括半导体器件，所述半导体器件包括通过栅极电介质从栅电极分隔开的倒置V形沟道区域。
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