[发明专利]高频高介陶瓷介质及其制备方法无效
| 申请号： | 200710150065.4 | 申请日： | 2007-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101182200A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吴顺华;王爽;陈力颖;陈志兵;刘俊峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高频高介陶瓷介质，其组分及原料重量百分比含量为：BZH玻璃粉9～31％，BNT陶瓷介质熔块69～91％；所述BZH玻璃粉的组分及其原料重量百分比含量为BaO32～33％、ZnO 26～27％、H3BO4 40～41％；所述BNT陶瓷介质熔块的组分及其原料重量百分比含量为BaCO3 19～20％、Nd2O3 19～20％、Bi2O3 26～27％、TiO2 34.5～35.5％。制备步骤为：(1)制作BZH玻璃粉(2)制作BaO－Nd2O3－TiO2系统BNT陶瓷介质熔块(3)制作BaO－Nd2O3－TiO2系统陶瓷介质。本发明克服了现有技术的介电常数ε偏低的缺点，提供了一种低温烧结、高介电常数、低介质损耗、并具有优良热稳定性的高频高介陶瓷介质，应用于IC领域的低温共烧陶瓷技术。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 陶瓷 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频高介陶瓷介质，其特征在于，由下列组分按原料重量百分比组成：BZH玻璃粉9～31％，BNT陶瓷介质熔块69～91％；所述BZH玻璃粉的组分及其原料重量百分比含量为BaO 32～33％、ZnO 26～27％、H3BO4 40.5～41％；所述BNT陶瓷介质熔块的组分及其原料重量百分比含量为BaCO3 18.4～19.8％、Nd2O3 7.3～27.6％、Bi2O3 16.4～40.6％、TiO2 33.7～36.2％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710150065.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
