[发明专利]Cu掺杂MgB2超导体及低温快速制备方法

摘要

本发明属于提出一种Cu掺杂MgB₂超导体及低温快速制备方法。其组成及分子质量比如下：(Mg_1.1B₂)_1－xCu_x，x＝0.01～0.10。制备方法是：将Mg粉、Cu粉和B粉按比例在玛瑙研钵中充分混合，然后在2～10MPa的压力下制成薄片，最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结，升温速率10～40℃/min，升至490～600℃后，在此温度保温烧结2～7个小时，然后以10～40℃/min的冷却速度降至室温。结合上文的分析来看，本发明中制备MgB₂超导体的烧结温度低，烧结时间短，从而大大弥补了传统低温烧结法制备MgB₂超导体所需时间长的弊端，而且制备出来的MgB₂超导体具有优良的超导性能。因而这种Cu掺杂烧结的方法是一种非常有潜力的实用生产方法。

主权项

1.一种Cu掺杂MgB2超导体，其特征是组成和分子质量如下：(Mg1.1B2)1-xCux，x＝0.01～0.10。