[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710151040.6 申请日: 2007-12-14
公开(公告)号: CN101459200A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 方小红 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/045;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 代理人: 李 凤
地址: 300381天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法,柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特点是:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺;柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层制备方法,其特点是:衬底用柔性金属或聚酰亚胺膜,磁控溅射沉积0.5-1.5μm厚的底电极Mo,再在Mo薄膜上制备金属预制层,真空密封,放入炉中升温,固态硒源所在区域温度控制在180-300℃,进行硒化处理,使金属预制层转变半导体薄膜。通过采用在真空密封石英管中的硒或硫的饱和蒸汽压下进行硒化或硫化,工艺过程可控重复性好,减少了硒或硫的用量,过程可控,设备简单。
搜索关键词: 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 及其 吸收 制备 方法
【主权项】:
1. 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池,为多层膜结构,包括衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极,其特征在于:衬底层为柔性金属材料或聚酰亚胺。
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