[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710151489.2 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101170072A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 町田洋弘;山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，其特征在于包括以下部件的结构：半导体芯片，其上形成有电极片；凸点，其形成于所述各个电极片上并具有凸出部分；绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以及导电图案，其与所述凸点连接，其中，所述凸出部分的末端插入所述导电图案中，并且所述插入的末端被平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：第一步骤，其在电极片上形成具有凸出部分的凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片对应的区域中；第二步骤，其在所述基板上形成绝缘层和导电层；第三步骤，其挤压所述导电层，从而压制所述导电层上露出的所述凸出部分的末端；第四步骤，其通过电解电镀形成与所述凸点连接的导电图案，在电解电镀过程中，把所述导电层当作供电层；以及第五步骤，其将所述基板分离成单独的小块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
