[发明专利]互补金属氧化物硅图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710151594.6 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101154627A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴庆敏 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤。形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构(under－structure)。在下结构上面和/或上方形成钝化层。选择性刻蚀钝化层和钝化层下方的层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域。同时刻蚀滤色片区域和金属焊盘暴露区域。在刻蚀以形成滤色片的层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成包括光电二极管、金属线和用于使金属焊盘与所述金属线之间绝缘的层间绝缘膜的下结构；在所述下结构上方形成钝化层；选择性刻蚀所述钝化层和所述层间绝缘膜以形成滤色片区域和金属焊盘暴露区域；同时刻蚀所述滤色片区域和所述金属焊盘暴露区域；以及在所述层间绝缘膜上顺序形成多个滤色片和多个微小透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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