[发明专利]Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，主要包括在衬底片上制备SiO₂波导掩模、质子交换、退火、电极剥离、电极电镀、芯片切割和端面磨抛步骤。本发明采用纯苯甲酸作为质子交换源，质子交换温度150℃～170℃，时间170－210分钟。为防止波形倾斜，在质子交换后，先腐蚀掉SiO₂波导掩模，对晶片进行清洗，在铌酸锂晶片上重新生长一层SiO₂隔离层，再进行退火。本发明采用纯苯甲酸作为质子源，提高了工艺过程的一致性，降低了对实验室的环境污染；通过腐蚀掉SiO₂波导掩模，重新生长波导隔离层，确保器件波形不产生倾斜畸变。

主权项

1.Y波导集成光学器件铌酸锂芯片的制备方法，主要包括在衬底片上制备SiO2波导掩模、质子交换、退火、电极剥离、电极电镀、芯片切割和端面磨抛步骤，其特征在于：采用纯苯甲酸作为质子源，所述的质子交换包括以下步骤：(1)将纯苯甲酸放入交换杯中；(2)将铌酸锂晶片放在交换夹具上，放入交换杯中，使铌酸锂晶片不与苯甲酸接触，悬在交换杯中，并连同交换杯一起放入交换炉的恒温区中；(3)开启放置交换杯的质子交换炉，将温度升高并稳定在150℃～170℃之间，然后将铌酸锂晶片浸入苯甲酸熔液中；(4)170-210分钟时，取出铌酸锂晶片，待其自然冷却。