[发明专利]具有ZQ校准电路的半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 200710152738.X 申请日: 2007-07-02
公开(公告)号: CN101127235A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 金基镐 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体存储器件的阻抗调整电路,能够稳定调整其终端阻抗。该半导体存储器件包括:用来对应于ZQ阻抗提供正常目标范围并且响应于微小目标信号提供微小目标范围的参考范围提供单元,用来对应于多个控制代码提供输出阻抗的终端阻抗提供单元,用来产生多个控制代码以便在正常目标范围内移动输出阻抗并且用来响应于微小目标信号调整多个控制代码以便在微小目标范围内移动输出阻抗的代码产生单元,以及用来检测被设置在正常目标范围内的输出阻抗以便产生微小目标信号的正常移动检测单元。
搜索关键词: 具有 zq 校准 电路 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:用来对应于ZQ阻抗提供正常目标范围并且响应于微小目标信号提供微小目标范围的参考范围提供单元;用来对应于多个控制代码提供输出阻抗的终端阻抗提供单元;用来产生多个控制代码以便在所述正常目标范围内移动输出阻抗并且用来响应于所述微小目标信号调整所述多个控制代码以便在所述微小目标范围内移动输出阻抗的代码产生单元;以及用来检测被设置在该正常目标范围内的输出阻抗以便产生该微小目标信号的正常移动检测单元。
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