[发明专利]功率半导体器件无效
| 申请号： | 200710152878.7 | 申请日： | 2000-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140953A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 坂本光造;井上洋典;宫内昭浩;白石正树;森睦宏;渡边笃雄;大柳孝纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上；形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区；所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：其中，所说的半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，所说的半导体芯片的四个侧边缘中一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上，在所说的半导体芯片中形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区，所说的第一区和第二区交替且相邻地排列；其中，所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；和其中，当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。
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