[发明专利]隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器无效
| 申请号： | 200710153185.X | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101154708A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 指宿隆弘;佐藤雅重;梅原慎二郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/32;H01F10/16;G11B5/39;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有大MR比的隧道磁阻(TMR)元件。这种TMR元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由MgO膜形成。磁化自由层由CoFeB膜形成。覆盖层通过紧接在CoFeB膜上面形成Ti膜而形成，使得Ti膜与CoFeB膜相接触。这样可以大大提高TMR元件的MR比。此外，将这种TMR元件应用于磁头和磁存储器(MRAM)，可以改善磁头和MRAM的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 元件 磁头 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻元件，包括：磁化固定层，其磁化方向固定；隧道阻挡层，形成在所述磁化固定层上；磁化自由层，形成在所述隧道阻挡层上，且由CoFeB膜形成，使得所述磁化自由层的磁化方向可变；覆盖层，包括Ti膜，并形成在所述磁化自由层上，使得所述Ti膜与所述磁化自由层相接触。
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