[发明专利]在半导体器件中制造电容器的方法无效
| 申请号： | 200710153466.5 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101154568A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴哲焕;朴东洙;李银儿;徐惠真 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在半导体器件中形成电容器的方法。该方法包括：在半导体基板上形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢(H)原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。该半导体器件具有改善的电极传导性和电容量较高的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件中形成电容器的方法，其包括：在半导体基板上方形成储存节点电极；在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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