[发明专利]高压CMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710153703.8 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101211852A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 高光永 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制造高压CMOS器件的方法，在形成高压深阱区域时不需要用于形成光学对准标记的单独掩膜。该方法包括形成暴露半导体衬底预定区域的相对厚的第一氧化物膜图案；在暴露衬底上形成第二氧化物膜图案；以及通过利用第一氧化物膜图案作为掩膜进行离子注入和退火处理，形成高压深阱区域。第二氧化物膜图案通过退火处理扩散，以在高压深阱区域上产生台阶。该台阶能被用作光学对准标记。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造高压CMOS器件的方法，包括：在半导体衬底上形成第一氧化物膜图案，暴露半导体衬底的预定区域；在暴露的半导体衬底上形成第二氧化物膜图案；以及通过利用第一氧化物膜图案作为注入掩膜进行离子注入和退火，形成高压深阱区域，其中利用退火处理使第二氧化物膜图案扩散以在高压深阱区域的顶面上产生台阶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710153703.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
