[发明专利]反波导大光学腔半导体激光器无效
| 申请号： | 200710153823.8 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101159366A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 薄报学;高欣;王玉霞;李辉;卢鹏;乔忠良;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用反向线性渐变折射率结构，有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，采用多量子阱有源层使得器件具有较低的阈值电流。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光光源的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 光学 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种反波导大光学腔半导体激光器，其外延结构包括衬底(1)、限制层(2)、波导层(3)、量子阱有源层(4)及欧姆接触层(5)，波导层(3)分上、下两层，其特征在于，波导层(3)材料组分反向线性渐变，波导层(3)结构为反向线性渐变折射率结构，靠近量子阱有源层(4)处的折射率较小，随着向限制层(2)的靠近，折射率逐渐增大。
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