[发明专利]显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710154057.7 申请日: 2007-09-13
公开(公告)号: CN101145566A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 樱井彻;梅谷雄高;森本雄策 申请(专利权)人: 爱普生映像元器件有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362;G02F1/133
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种显示装置及其制造方法。本发明的目的为在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由该薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容的显示装置中,提升用以形成保持电容的电极间的绝缘耐压,并提高制造成品率。本发明的显示装置的制造方法如下:在保持电容中,堆叠下层保持电容电极、薄的下层保持电容膜、多晶硅层、上层保持电容膜、以及上层保持电容电极。多晶硅层通过激光退火而产生的结晶化而形成。保持电容的多晶硅层即成为微结晶,而其表面平坦性良好。多晶硅层(保持电容电极)的图案形成为比开口部的底部还大,且形成为多晶硅层外周部的边缘配置在开口部的倾斜部上或开口部外的缓冲膜上。
搜索关键词: 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种显示装置,在衬底上具备有薄膜晶体管以及用以保持经由前述薄膜晶体管而施加至像素电极的显示信号的保持电容的显示装置中,其特征在于,前述薄膜晶体管具备有:遮光层,形成在前述衬底上;多晶硅层,在前述遮光层上隔着缓冲膜而形成;栅极绝缘膜,覆盖前述多晶硅层;以及栅极电极,形成在前述栅极绝缘膜上;而前述保持电容具备有:下层保持电容电极,形成在前述衬底上;下层保持电容膜,经由形成在前述下层保持电容电极上的前述缓冲膜的开口部而与前述下层保持电容电极接触,且比前述缓冲膜还薄;保持电容电极,隔着前述下层保持电容膜而形成在前述下层保持电容电极上,且具有比前述缓冲膜上的多晶硅层的结晶粒径还小的微结晶多晶硅部分;上层保持电容膜,覆盖前述保持电容电极;以及上层保持电容电极,隔着前述上层保持电容膜而形成在前述保持电容电极上。
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