[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710154253.4 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101174625A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吉田隆幸;桑原公仁;本藤拓磨;福田敏行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件(20)，具有多个在该半导体芯片基板(30)内至少包含金属氧化物半导体(MOS)晶体管(36)的电路、以及包含该电路并在上部用保护该电路的保护膜(41)覆盖的电路模块，仅在该半导体器件(20)的电流能力及阈值电压不满足规定值的、需要高性能化的电路模块的上部，至少通过保护膜(41)形成多个凸点(23a、23b、23c)，该多个凸点(23a、23b、23c)能够对MOS晶体管(36)施加应力，使迁移率增加，实现高性能化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在至少在表面层具有半导体单晶层的基板的所述半导体单晶层、具有多个由包含MOS晶体管的电路构成的电路模块，其特征在于，具有：在所述半导体单晶层形成的所述电路模块的上部整个面形成的保护膜；以及通过所述保护膜在所述电路模块上形成的1个或多个凸点，所述凸点形成在对所述MOS晶体管施加应力的位置，所述应力是使得需要提高电特性的所述MOS晶体管的载流子迁移率增加那样的应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710154253.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
