[发明专利]非易失性半导体存储装置以及制造该存储装置的方法无效
| 申请号： | 200710154366.4 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101192624A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;高岛章;村冈浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储装置，包括：隧道绝缘膜；浮动栅电极；电极间绝缘膜，其中，分别将面向浮动栅电极的界面定义为第一界面和将面向控制栅电极的界面定义为第二界面；以及控制栅电极。电极间绝缘膜包括一个或多个从稀土元素中选择的第一元素，一个或多个从Al、Ti、Zr、Hf、Ta、Mg、Ca、Sr和Ba中选择的第二元素，以及氧。被定义为第一元素的原子数量除以第二元素的原子数量的第一元素的组成比率在第一界面与第二界面之间改变，并且，所述组成比率在第一界面附近的值低于在第二界面附近的值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：第一导电类型的半导体区；第二导电类型的源区和漏区；在源区与漏区之间形成的沟道区；在沟道区上形成的隧道绝缘膜；在隧道绝缘膜上形成的浮动栅电极；在浮动栅电极上形成的电极间绝缘膜；以及在电极间绝缘膜上形成的控制栅电极，其中，将电极间绝缘膜与浮动栅电极之间的界面定义为第一界面，并将电极间绝缘膜与控制栅电极之间的界面定义为第二界面，其中，电极间绝缘膜包括一个或多个第一元素、一个或多个第二元素以及氧，并且其中，第一元素从稀土元素中选择，第二元素从Al、Ti、Zr、Hf、Ta、Mg、Ca、Sr和Ba中选择，其中，被定义为第一元素的原子数量除以第二元素的原子数量的第一元素与第二元素的组成比率在第一界面与第二界面之间改变，其中，电极间绝缘膜中第一元素在第一界面附近的组成比率低于在第二界面附近的组成比率。
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