[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，此鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底，具有鳍状物结构，介于包含顶部与底部的两个沟槽之间；浅沟槽隔离物，形成于该沟槽的底部；栅极电极，位于该鳍状物结构以及该浅沟槽隔离物的上方，其中该栅极电极大体上垂直于该鳍状物结构；栅极介电层，沿着该鳍状物结构的侧壁形成；以及源极/漏极掺杂区域，形成于该鳍状物结构之中。本发明可降低鳍式场效应晶体管的高低起伏并且可改善制造流程的整合度。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成第一掩模层；在所述第一掩模层上方形成第二掩模层；在所述第二掩模层上方形成光致抗蚀剂图案，其具有第一宽度；利用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，并且蚀刻所述第二掩模层；修整所述光致抗蚀剂图案，以形成修整后的光致抗蚀剂图案，具有第二宽度，其小于所述第一宽度；利用所述修整后的光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，并且蚀刻所述第二掩模层以及所述第一掩模层，以形成由所述第一掩模层以及所述第二掩模层构成的叠层掩模；以及蚀刻所述半导体衬底以形成鳍状物结构，其介于两个沟槽之间。