[发明专利]包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统在审
| 申请号： | 200710154791.3 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150138A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 安东浩;堀井秀树;裵晙洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 相变存储器件可以包括集成电路衬底以及该集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。此外，第一和第二结晶温度可以不同，以使得可以在不同的温度下对第一和第二相变存储元件进行编程。还讨论了相关的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 不同 相变 材料 存储器 单元 存储 器件 以及 相关 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器件，包括：集成电路衬底；在所述集成电路衬底上的第一相变存储元件，其中，所述第一相变存储元件包括具有第一结晶温度的第一相变材料；以及在所述集成电路衬底上的第二相变存储元件，其中，所述第二相变存储元件包括具有第二结晶温度的第二相变材料，并且其中，所述第一和第二结晶温度不同，以使得可以在不同的温度下对所述第一和第二相变存储元件进行编程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710154791.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：两相二十极径向定子和转子组合式磁场电机
- 下一篇：葡萄糖酸锶及其生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
