[发明专利]有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 200710156478.3 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101169524A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;李晓婷;麦炽良;黄健洪;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MgO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜，再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，氧化铌，碳酸锶，碳酸钡为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单，制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长，薄膜外延性好，质量高，电光系数大(r33可达180～230pm/V)，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 镍酸锂底 电极 外延 铌酸锶钡 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜，其特征在于：在MgO基板(1)一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜(2)，再在LNO薄膜(2)上外延制备SBN薄膜(3)。
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