[发明专利]一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法无效
| 申请号： | 200710157907.9 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101423396A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 周延春;童庆丰;陈继新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B35/599 | 分类号： | C04B35/599;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术，特别提供了一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法，解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时，存在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化硅为原料，以碳酸锂为烧结助剂，原料经过研磨10-30小时，装入石墨模具中冷压成型，在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结，烧结温度为1400-1600℃、烧结时间为0.1-1小时。本发明可以在较低温度、短时间内合成高纯度、抗氧化、室温强度和高温强度高、介电常数低和介电损耗小的致密硅氮氧陶瓷块体。采用本发明方法获得的硅氮氧陶瓷，可作为抗氧化高温结构材料和功能材料，具有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 氧化 硅氮氧 陶瓷 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法，其特征在于：以Si3N4粉和SiO2粉为原料，Li2CO3粉为烧结助剂，合成单相的Si2N2O，Si3N4和SiO2的摩尔比为Si3N4:SiO2＝1∶0.8-1.3，Li2CO3的添加量为1-5wt.％；原料经过10-30小时研磨后，装入石墨模具中冷压成型，施加的压强为10-20MPa；然后，在通有氮气的热压炉内烧结，升温速率为10-50℃/分钟，烧结温度为1200-1600℃、烧结时间为0.1-1小时。
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