[发明专利]芸薹属游离小孢子再生植株的培养方法无效

专利信息
申请号: 200710158105.X 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101433183A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 刘祥军 申请(专利权)人: 刘祥军
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;C12N5/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110179辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 芸薹属游离小孢子再生植株的培养方法涉及园艺作物芸薹属的游离小孢子再生植株的培养技术的改进,属于生物育种技术领域。本发明就是提供适用于芸薹属作物的小孢子再生植株的培养方法。本发明的培养方法包括以下步骤:1)小孢子培养;2)分化培养;3)生根培养。本发明为育种提供了大量的新基因型纯系,极大地丰富了芸薹属的育种资源,且加快了育种步伐,大大的缩短育种时间,应用前景广阔。
搜索关键词: 芸薹属 游离 孢子 再生 植株 培养 方法
【主权项】:
1、芸薹属游离小孢子再生植株的培养方法,其特征在于:培养方法包括以下步骤:1)小孢子培养:将小孢子接种于胚状体诱导培养基中,浓度为5×104-5×105个/mL,转到25-38℃、黑暗条件下高温胁迫处理24-72小时后,再转到24-26℃、黑暗条件下诱导胚状体;2)分化培养:待鱼雷期至子叶期胚状体形成后,转到温度20-30℃、光照1500-4000LuX、光周期12-20hr/d的光照条件下继续培养4-12天后,将胚状体接种于分化培养基中,待胚转绿后,再将胚转移到含蔗糖3%的MS无激素固体培养基上继续培养;3)生根培养:待胚长出茎、叶后,将植株转接入生根培养基中,在24-26℃、1500-2500Lux、14-18小时光照/天条件下进行生根培养,直至游离小孢子再生植株的幼苗长成。
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