[发明专利]一种低银铜基电接触材料无效

专利信息
申请号: 200710158120.4 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101436469A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 杨军 申请(专利权)人: 杨军
主分类号: H01H1/025 分类号: H01H1/025;C22C9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110179辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种低银铜基电接触材料,其特点是还包括有稀土元素铈,其化学成分(重量%)为:银10~20%,导电陶瓷1~15%,氧化镓1~10%,氧化铟1~10%,氧化镍1~5%,铜余量。本发明的电阻率低、导热和导电性好、触头接触电阻小而稳定、抗氧化能力强,具有优异的抗电烧蚀和抗熔焊能力,并且大幅度降低了银的用量,可节约大量贵重金属。
搜索关键词: 一种 低银铜基电 接触 材料
【主权项】:
1. 一种低银铜基电接触材料,其特征在于还包括有稀土元素铈,其化学成分(重量%)为:银10~20%,导电陶瓷1~15%,氧化镓1~10%,氧化铟1~10%,氧化镍1~5%,铜余量.
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨军,未经杨军许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710158120.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top