[发明专利]用于编程多层非易失性存储装置的方法有效
| 申请号： | 200710159635.6 | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101174462A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡东赫;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)的数据。使用LSB数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三或第四值具有大于VR2的阈值电压。使用MSB数据编程存储单元，使得阈值电压对于第一值小于VR1，对于第二值大于VR1且小于VR2，对于第三值大于VR2且小于VR3，对于第四值大于VR3。VR1小于VR2，VR2小于VR3。编程标识单元以显示是否已经编程MSB数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 多层 非易失性 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程包括标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法，该多个多位存储单元的每一个用于存储由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的数据，所述方法包括：使用LSB数据编程该存储单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压；修改该编程过的存储单元的该阈值电压，使得当期望该存储单元存储第三或第四值时，每一个该编程过的存储单元都具有大于VR2的阈值电压；使用MSB数据编程存储单元，使得每一个存储单元：当期望该存储单元存储第一值时，具有小于电压VR1的阈值电压；当期望该存储单元存储第二值时，具有大于电压VR1且小于电压VR2的阈值电压；当期望该存储单元存储第三值时，具有大于电压VR2且小于电压VR3的阈值电压；和当期望该存储单元存储第四值时，具有大于电压VR3的阈值电压，其中VR1＜VR2＜VR3，其中标识单元被编程以显示MSB数据是否已经被编程。
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