[发明专利]半导体存储装置及其写入控制方法无效

专利信息
申请号: 200710159893.4 申请日: 2007-12-25
公开(公告)号: CN101211657A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 中井洁 申请(专利权)人: 尔必达存储器株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/10;G11C11/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆锦华;黄启行
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 能隐蔽相变存储器等的比较长的写入时间,实现随机写入的半导体存储装置及其写入方法。其具备:读数据锁存器(101),保持来自相变存储单元的读出数据并锁存从外部输入的写入数据;写数据锁存器(102),在到写入开始为止的给定循环期间保持向存储单元的写入数据;以及传送开关(105),控制读数据锁存器的输出向写数据锁存器的传送的有无,读数据锁存器保持从外部输入了的写入数据,经传送开关而被写数据锁存器存放,具备:比较电路(106),判断被写数据锁存器保持的数据和读数据锁存器的数据是否一致;以及写标志锁存器(103),锁存比较电路的输出,只在有写入请求存在,比较电路的比较结果表示不一致的场合,执行写入,只对必要的比特执行写入。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 写入 控制 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,具备:存储器阵列,具备多个存储器单元;以及进行以下控制的控制电路:从接受写入请求起,预先积蓄与1页尺寸相当的预定的循环的量的写入数据,以上述预定的循环,把上述积蓄了的多个循环的量的数据归结起来执行向单元的写入,使执行写入的比特的组合成为任意的,使得看上去可随机写入。
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