[发明专利]一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了氧化锌基稀磁半导体多晶粉末，其具有分子结构式Zn_1－xTM_xO，其中TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度为x＝0～10％，并通过掺入纳米SiO₂或纳米C粉体的方式获得了更高磁性能的稀磁半导体粉体样品。用醋酸锌和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，加入适量的稳定剂乙醇胺，搅拌完全溶解后，经过陈化、烘干、热处理后，得到Zn_1－xTM_xO多晶粉末，将此粉末与纳米粉体混合，充分研磨后，再次进行热处理，制得所需的纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。在制得具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体材料的基础上，成功引入纳米粉体，改善其晶界缺陷，提高材料磁性能。

主权项

1.一种纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料，其特征在于由重量比为1∶8～10的氧化锌基稀磁半导体材料和纳米添加物混合而成，氧化锌基稀磁半导体材料的分子结构式为Zn1-xTMxO，TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度为x＝0～10％，纳米添加物为纳米SiO2或纳米C，纳米SiO2或纳米C的颗粒大小为20～30nm。