[发明专利]半导体器件及电子设备有效
申请号: | 200710160849.5 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211931A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 广濑笃志;肉户英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明包括光电二极管以及放大光电二极管的输出的电路。在光电二极管以及电路上中间夹着绝缘层且与两个端子一起形成假电极,该假电极与两个端子邻接,且该假电极的面积大于两个端子的面积。假电极不连接到半导体器件的光电二极管也不连接到电路。通过将假电极的面积设定为大,使在假电极中比在两个端子中更容易产生静电破坏,来防止半导体器件被静电破坏。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:光电转换元件;电连接到所述光电转换元件的电路;电连接到所述光电转换元件的第一端子;电连接到所述电路的第二端子;以及与所述第一端子以及所述第二端子邻接的导电膜,其中,所述导电膜不电连接到所述光电转换元件也不电连接到所述电路,并且,所述导电膜的上表面的面积大于所述第一端子的上表面的面积,并且,所述导电膜的上表面的面积大于所述第二端子的上表面的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的