[发明专利]提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法

摘要

一种在绝缘体上的硅衬底中制造的半导体器件，包括支撑硅衬底(10)、被衬底支撑的氧化硅层以及覆盖氧化硅层的硅层。在部分氧化硅层(12)上的硅层中制造电子元件，然后掩蔽和刻蚀与元件相反的衬底。然后在已被刻蚀除去的部分衬底中形成金属层，金属层提供从元件散热。在另一实施例中，用毗邻硅层的金属层除去覆盖部分衬底的氧化硅层。在制造器件中，采用择优刻蚀，以除去具有氧化硅的衬底内的硅，氧化硅起刻蚀剂阻止作用。可以采用两个步骤工序，包括刻蚀硅大部分的第一氧化刻蚀，然后是更高选择性但更慢的刻蚀。然后如同所述另一实施例中，可以通过氧化硅的择优刻蚀剂除去露出的氧化硅。

主权项

1.一种半导体器件，包括：a)半导体本体，包括支撑衬底的硅、被衬底支撑的氧化硅层以及覆盖氧化硅层的硅层，b)在覆盖通过刻蚀已除去的部分衬底的硅层中形成的半导体元件，以及c)通过刻蚀除去的部分衬底中的金属层，金属层提供从元件散热，其中覆盖部分衬底的氧化硅层被除去，金属层毗邻硅层，金属层包括难熔金属，金属层还包括难熔金属上的金、铝或铜。