[发明专利]形成薄膜金属导线的方法有效
| 申请号： | 200710161004.8 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101378033A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 金尚喜 | 申请（专利权）人： | 塔工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01B13/00;G01R1/067 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了形成薄膜金属导线的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成种金属层；在种金属层上形成第一光刻胶(PR)层，和使用第一PR层作为掩模形成金属导线图案；除去第一PR层，然后形成与金属导线图案间隔预定距离的第二PR层；通过电镀形成包围金属导线图案的保护膜；和进行蚀刻以除去第二PR层和种金属层的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 金属 导线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜金属导线的方法，所述方法包括以下步骤:在衬底上形成种金属层；在所述种金属层上形成第一光刻胶(PR)层，和使用所述第一PR层作为掩模形成金属导线图案；除去所述第一PR层，然后形成与所述金属导线图案间隔预定距离的第二PR层；通过电镀形成包围所述金属导线图案的保护膜；和进行蚀刻以除去所述种金属层的暴露部分和所述第二PR层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
