[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161232.5 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211936A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 尹盈提;朴珍皞 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器和制造图像传感器的方法。该图像传感器包括衬底和微透镜阵列，其中微透镜阵列包括西洋棋盘图案的第一组微透镜和第二组透镜。在一些实施例中，西洋棋盘图案的第一组微透镜和第二组透镜包括交替的亲水和疏水微透镜。本发明能够抑制在微透镜阵列中的相邻像素之间产生透镜桥，并形成具有零间隙的微透镜阵列，从而改善器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：微透镜阵列，形成于衬底上，并包括第一组微透镜和第二组微透镜；其中所述第一组微透镜和所述第二组微透镜排列成西洋棋盘图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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