[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在分立半导体的芯片上，已知有将电流路径上的第一电极及第二电极设于半导体衬底的第一主面侧，可进行倒装片安装的结构。但是，由于在衬底内的水平方向上也流过电流，故在衬底为矩形的情况下，存在水平方向上的电流路径增加，电阻增加的问题。将衬底内的水平方向上的电流路径在沿衬底(芯片)的短边的方向上形成。例如采用将成为输入端子侧的元件区域和成为输出端子侧的电流的取出区域沿芯片的短边并列的设计。另外，设置与输入输出端子分别连接的第一凸电极及第二凸电极，将它们沿芯片的短边配置。由此，由于衬底内的水平方向上的电流路径其宽度宽且长度短地形成，故能够降低衬底水平方向上的电阻。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：一主面上的平面形状为由长边及短边构成的大致矩形的半导体衬底、设于所述半导体衬底上的分立半导体的元件区域、与该元件区域的输入端子及输出端子分别连接且设于所述半导体衬底的一主面上的第一电极及第二电极、与自所述第一电极到所述第二电极的所述半导体衬底上形成的电流路径的所述一主面大致垂直的成分即第一电流路径、与所述电流路径的所述一主面大致水平的成分即第二电流路径，沿所述短边形成所述第二电流路径的主要方向。