[发明专利]从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法

摘要

本发明公开一种从单壁碳纳米管中分离富集金属性和半导体性碳纳米管的方法。本发明的方法是：首先取1重量份的经纯化处理的待分离碳纳米管和0.05～2重量份的分离促进剂加入有机溶剂中进行超声混合，使分离促进剂充分吸附特定碳纳米管，然后分离出液体和沉淀，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，得到富集金属性碳管的产品；再取1重量份沉淀和0.05～2重量份的分离促进剂加入有机溶剂中进行超声混合处理，再去分离出沉淀和液体，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，可得到富集半导体性碳管产品。

主权项

1.从单壁碳纳米管中分离金属性和半导体性纳米管的方法，对碳纳米管进行化学分子修饰、超声分散处理，再从去除沉淀所得液体部分中取出碳管，其特征在于：a.取1重量份的经纯化处理的待分离碳纳米管和0.05～2重量份的分离促进剂，将二者加入有机溶剂中，对体系进行超声混合，使分离促进剂充分吸附特定碳纳米管，然后去除沉淀保留液体，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，用有机溶剂洗涤除去碳管上未吸附的分离促进剂，得到富集金属性碳管的产品；b.取1重量份经a分离所得沉淀和0.05～2重量份的分离促进剂，将二者加入有机溶剂中，对体系进行超声混合处理，去除沉淀保留液体，再将悬浮于液体中的碳管分离出来，用溶剂洗涤除去将碳管上未吸附的分离促进剂，得到富集半导体性碳管产品；在以上过程中所用的分离促进剂是具有线性稠环芳烃结构的化合物，其稠环芳烃部分含有至少三个芳环。