[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161528.7 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101241898A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 辛容撤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，包括在半导体衬底上形成栅极图案，所述衬底限定单元区域和周边区域。在单元区域中形成第一和第二接触塞。在周边区域中形成第三和第四接触塞。在单元区域中形成第一分隔结构并覆盖第一接触塞。在周边区域中形成第二分隔结构并限定第一和第二开口，第一开口暴露第三接触塞的上部，第二开口暴露第四接触塞的上部。在第一、第二、第三和第四接触塞上形成第一、第二、和第三金属线部分。在单元区域中形成第一金属线部分并接触第二接触塞。在所述周边区域中形成第二金属线部分并接触第三接触塞。在所述周边区域中形成第三金属线部分并接触第四接触塞。第一分隔结构使第一接触塞与第一金属部分电学上隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上形成的栅极图案，所述衬底限定单元区域和周边区域；在所述单元区域中形成的第一和第二接触塞；在所述周边区域中形成的第三和第四接触塞；在所述单元区域中形成的并覆盖所述第一接触塞的第一分隔结构；在所述周边区域中形成的并限定第一和第二开口的第二分隔结构，所述第一开口暴露所述第三接触塞的上部，所述第二开口暴露所述第四接触塞的上部；和在所述第一、第二、第三、和第四接触塞上形成的第一、第二、和第三金属线部分，所述第一金属线部分在所述单元区域中形成并接触所述第二接触塞，所述第二金属线部分在所述周边区域中形成并接触所述第三接触塞，所述第三金属线部分在所述周边区域中形成并接触所述第四接触塞，其中，所述第一分隔结构使所述第一接触塞与所述第一金属线部分电学上隔离。
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