[发明专利]包括凹槽式控制栅电极的半导体存储器装置

摘要

本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括半导体基底、至少一个控制栅电极，至少一层存储节点层、至少一层隧穿绝缘层、至少一层阻挡绝缘层和/或第一沟道区和第二沟道区。至少一个控制栅电极可凹进到半导体基底中。至少一层存储节点层可在至少一个控制栅电极的侧壁和半导体基底之间。至少一层隧穿绝缘层可在至少一层存储节点层和半导体基底之间。至少一层阻挡绝缘层可在存储节点层和控制栅电极之间。第一沟道区和第二沟道区可在至少一层隧穿绝缘层和半导体基底之间，以环绕控制栅电极的侧壁的至少一部分，和/或第一沟道区和第二沟道区可相互分离。

主权项

1.一种半导体存储器装置，包括：半导体基底；至少一个控制栅电极，凹进到所述半导体基底中；至少一层存储节点层，在所述至少一个控制栅电极的侧壁和所述半导体基底之间；至少一层隧穿绝缘层，在所述至少一层存储节点层和所述半导体基底之间；至少一层阻挡绝缘层，在所述至少一层存储节点层和所述至少一个控制栅电极之间；第一沟道区和第二沟道区，在所述至少一层隧穿绝缘层和所述半导体基底之间，以环绕所述控制栅电极的侧壁的至少一部分，所述第一沟道区和所述第二沟道区相互分离，其中，所述至少一层阻挡绝缘层的介电常数大于所述至少一层隧穿绝缘层的介电常数。