[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤：首先，提供一基板，并形成一栅极于基板上。接着，形成一栅介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成一信道层、一源极以及一漏极于栅极上方的栅介电层上，其中源极与漏极配置于信道层的部分区域，且栅极、信道层、源极以及漏极构成一薄膜晶体管。接着，形成一保护层于栅介电层与薄膜晶体管上。然后，使用一激光经由一第一屏蔽照射保护层，以使得保护层暴露出漏极。接着，形成一像素电极于栅介电层上，且像素电极连接至暴露的漏极。本发明的像素结构的制作方法较为简单因而降低制作成本。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，该方法包括：提供一基板；形成一栅极于所述基板上；形成一栅介电层于所述基板上，以覆盖所述栅极；同时形成一信道层、一源极以及一漏极于所述栅极上方的所述栅介电层上，其中所述源极与所述漏极配置于所述信道层的部分区域，且所述栅极、所述信道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；形成一保护层于所述栅介电层与所述薄膜晶体管上；使用一激光经由一第一屏蔽照射所述保护层，以使得所述保护层暴露出所述漏极；以及形成一像素电极于所述栅介电层上，且所述像素电极连接至暴露的所述漏极。