[发明专利]超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件

摘要

一种新颖的超自对准(SSA)结构和制造方法，利用单光掩模层以限定沟栅垂直功率DMOSFET的主要特征和尺寸。单主要掩模确定了沟表面尺寸、在沟之间的硅源极－本体台面宽度和硅台面接触区的尺寸和位置。该接触区与沟自对准，消除了在常规的沟型DMOS器件中需要接触区对沟的掩模对准，以避免在制造过程中所产生的栅源短接而施加的限制。还降低了在硅表面上氧化物台阶的高度，从而避免了金属台阶覆盖问题。也降低了多栅极总线台阶高度。所描述的其它的特征包括多晶硅二极管的形成、控制漏极－本体二极管击穿的位置、降低了栅极对漏极的重叠电容，以及利用降低的热集聚处理技术。

主权项

1.一种制造沟型MOSFET的方法，包括：提供具有表面的半导体材料的本体；在该表面上形成第一掩模，第一掩模在要在该本体上设置沟之处具有开口；通过在第一掩模中的开口腐蚀该半导体材料以形成在该半导体本体中的沟；在该沟中淀积氧化物；腐蚀该氧化物以在该沟的底部上形成第一氧化物层；在该沟的侧壁上形成第二氧化物层，该第一氧化物层比第二氧化物层更厚；以及将多晶硅引入到该沟中；氧化所暴露的多晶硅的表面以在该沟的顶部上形成第三氧化物层，该第三氧化物层向下延伸到该沟之内并比第二氧化物层更厚；将第一导电型的掺杂剂引入到半导体本体中以形成本体区，该本体区的结与第一氧化物层的上表面处于同一平面。