[发明专利]微结构器件的制造方法及其制造的微结构器件有效
申请号: | 200710161860.3 | 申请日: | 2007-09-24 |
公开(公告)号: | CN101152955A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 高马悟觉;水野义博;奥田久雄;曾根田弘光;松本刚;壶井修;佐胁一平 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C5/00;B81B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种微结构器件的制造方法及其制造的微结构器件,该微结构器件通过处理材料衬底而制成,该材料衬底例如由第一工艺层、第二工艺层以及设置在第一工艺层与第二工艺层之间的中间层构成。该微结构部件包括第一结构部件和第二结构部件,该第二结构部件具有隔着间隙面对第一结构部件的部分。第一结构部件和第二结构部件通过跨过间隙延伸的连接部件彼此连接。连接部件形成在第一工艺层中并且与中间层相接触。该微结构器件还包括保护部件,该保护部件从该第一结构部件向第二结构部件延伸或反之。保护部件形成在第一或第二工艺层中并且与中间层相接触。 | ||
搜索关键词: | 微结构 器件 制造 方法 及其 | ||
【主权项】:
1.一种微结构器件的制造方法,该微结构器件包括:第一结构部件;第二结构部件,包括面对该第一结构部件的部分;以及连接部件,连接该第一结构部件和该第二结构部件;该微结构器件通过处理材料衬底而制成,该材料衬底包括第一工艺层、第二工艺层和位于该第一工艺层与该第二工艺层之间的中间层,该方法包括:第一处理步骤,蚀刻该第一工艺层以形成第一结构部件构成部、第二结构部件构成部、连接部件和保护部件,该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部配置为隔着隔离间隙彼此相对,该隔离间隙部分地暴露该中间层,该连接部件配置为跨过该隔离间隙将该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部彼此连接,该连接部件与该中间层接触,该保护部件配置为从该第一结构部件构成部和该第二结构部件构成部中的一个延伸至该隔离间隙中,该保护部件与该中间层接触;以及第二处理步骤,蚀刻该第二工艺层以在该第二工艺层处暴露该中间层的暴露于该隔离间隙的部分和该中间层的与该连接部件相接触的部分。
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