[发明专利]非易失性存储器的编程方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的编程方法，利用基底热载流子效应进行编程操作。在N型阱区与P型阱区之间施加顺向偏压，使N型阱区内的电子注入P型阱区，之后经由施加于源极区与漏极区的电压所形成的耗尽区加速，再利用在控制栅极与P型阱区之间建立的垂直电场而注入电荷储存层。采用基底热载流子注入效应，使载流子注入电荷储存层，因此所施加的操作电压低，可以节省功耗，并且增进元件可靠性。

主权项

1. 一种非易失性存储器的编程方法，适用于包括第一导电型基底、设置于该第一导电型基底中的第二导电型阱区、设置于该第二导电型阱区上的第一导电型阱区、设置于该第一导电型阱区的第二导电型源极区和第二导电型漏极区、串联设置于该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区之间的第一选择晶体管、多个存储单元和第二选择晶体管的存储器，其中该第一选择晶体管具有第一选择栅极，各该存储单元具有电荷储存层和控制栅极，该第二选择晶体管具有第二选择栅极，该方法包括：在该第二导电型阱区施加第一电压，且在该第一导电型阱区施加第二电压，使得载流子由该第二导电型阱区注入该第一导电型阱区；在非选择的所述存储单元的该控制栅极施加第三电压，在该第一选择栅极与该第二选择栅极施加第四电压，其中该第三电压足以打开非选择的所述存储单元的沟道区，该第四电压足以打开该第一选择晶体管与该第二选择晶体管的沟道区；以及在选择的该存储单元的该控制栅极施加第五电压，在该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区施加第六电压，其中该第六电压用来产生耗尽区，该第五电压足以在该控制栅极与该第一导电型阱区之间建立垂直电场，以利用基底热载流子效应使该载流子加速而注入选择的该存储单元的该电荷储存层。