[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710162009.2 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101159290A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体结构包括含有体接触区的金属氧化物场效应晶体管，其中体接触区从位于沟道区域下方的体区延伸，沟道区域将金属氧化物场效应晶体管内的一对源/漏区分离。体接触区相对于沟道区域表面被凹进，以避免体接触与源/漏区之间的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：位于基片上的有源半导体区；栅极电极，位于沟道区域上，并将包括有源半导体区内的一对延伸区的一对源/漏区分离，其中沟道区域位于有源半导体区内的体区上；体接触区，从体区延伸并从沟道区域的表面被凹进到一对延伸区下方。
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