[发明专利]薄膜晶体管、像素结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710162026.6 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409308A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 苏大荣;陆文正;谢孟儒 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一栅绝缘层、一掺杂半导体层、一沟道层以及一源极与一漏极。其中，栅极配置于基板上，而栅绝缘层配置于基板上并覆盖栅极。掺杂半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。此外，沟道层配置于掺杂半导体层上。源极与漏极分别配置于沟道层上的两侧。该薄膜晶体管于关闭状态时具有较低的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，适于配置在一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，配置于该基板上，且覆盖该栅极；一掺杂半导体层，配置于该栅极上方的该栅绝缘层上；一沟道层，配置于该掺杂半导体层上；以及一源极与一漏极，分别配置于该沟道层上的两侧。
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